Der TOSHIBA TLP785 besteht optisch aus einem Silikon-Fototransistor gekoppelt an eine Galliumarsenid (GaAs) Infrarot-Emitterdiode in einem Blei-Kunststoff-DIP (DIP4) mit hoher Isolationsspannung (AC: 5 kVRMS (min)).
2-reihig, Raster 2,54 mm für Flachbandkabel mit Raster von 1,27 mm (AWG 28), Kontakte Berylliumkupfer, Buchsenkontakte vergoldet, Strombelastung 1 A, Prüfspannung 1000 V.